Тип: MOSFET

Тип управляющего канала: N-Channel

Ток стока максимальный: 9,4 А

Максимальное напряжение сток-исток: 100 В

Максимальная рассеиваемая мощность: 48 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток: 20 В

Пороговое напряжение включения: 4 В

Рабочая температура: -55 - +175°C

Общий заряд затвора: 25 nC

Время нарастания: 23 нс

Выходная емкость: 92 пФ

Сопротивление сток-исток откр. транзистора: 0,21 Ом

Корпус: I-PAK