MOSFET

Тип управляющего канала: N-Channel

Ток стока максимальный: 24 А

Максимальное напряжение сток-исток: 200 В

Максимальная рассеиваемая мощность: 170 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток: ±30 В

Пороговое напряжение включения: 5,5 В

Общий заряд затвора: 57 nC

Время нарастания: 32 нс

Выходная емкость: 300 пФ

Сопротивление сток-исток откр. транзистора: 0,1 Ом

Корпус: D2PAK