г.Новосибирск
Ленина,48
  • GT50N322 IGBT 50A 1000V с диодом TO3P

Наличие встроенного диода: да

Тип управляющего канала: N-Channel

Ток коллектора максимальный при 25°C: 50 А

Максимальное напряжение КЭ: 1000 В

Максимальная рассеиваемая мощность: 156 Вт

Напряжение насыщения КЭ: 2,2 В

Время нарастания типовое: 230 нс

Рабочая температура: -55 - +150°C

Корпус: TO3P


GT50N322 IGBT 50A 1000V с диодом TO3P

  • Код Товара: MN037938
  • Наличие: В наличии
  • 450.00р.



Представленные на сайте характеристики и изображения товара несут информационный характер и могут не соответствовать характеристикам реального товара,