Тип: MOSFET

Тип управляющего канала: N-Channel

Ток стока максимальный: 23 А

Максимальное напряжение сток-исток: 500 В

Максимальная рассеиваемая мощность: 315 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В

Максимальная температура канала: +150°C

Сопротивление сток-исток откр. транзистора: 0,245 Ом

Корпус: TO3P