Тип: MOSFET

Тип управляющего канала: N-Channel

Ток стока максимальный: 50 А

Максимальное напряжение сток-исток: 40 В

Максимальная рассеиваемая мощность: 65 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток: 20 В

Пороговое напряжение включения: 3 В

Рабочая температура: -55 - +175°C

Общий заряд затвора: 52 nC

Время нарастания: 12 нс

Сопротивление сток-исток откр. транзистора: 0,0085 Ом

Корпус: TO-252