MOSFET

Тип управляющего канала: 2N-Channel

Ток стока максимальный: 5 А

Максимальное напряжение сток-исток: 60 В

Максимальная рассеиваемая мощность: 2 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток: ±25 В

Пороговое напряжение включения: 3 В

Общий заряд затвора: 19 nC

Время нарастания: 8 нс

Выходная емкость: 70 пФ

Сопротивление сток-исток откр. транзистора: 0,052 Ом

Корпус: so-8