MOSFET

Тип управляющего канала: N+P-Channel

Ток стока максимальный: 9(6) А

Максимальное напряжение сток-исток: 20 В

Максимальная рассеиваемая мощность: 2 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток: ±12 В

Пороговое напряжение включения: 2 В

Общий заряд затвора: 14(17) nC

Время нарастания: 10(9) нс

Выходная емкость: 310(310) пФ

Сопротивление сток-исток откр. Транзистора: 0,018(0,045) Ом

Корпус: so-8