MOSFET

Тип управляющего канала: N+P-Channel

Ток стока максимальный: 8(6) А

Максимальное напряжение сток-исток: 30 В

Максимальная рассеиваемая мощность: 2,5 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток: ±20 В

Пороговое напряжение включения: 2 В

Общий заряд затвора: 18,6(18,8) nC

Время нарастания: 9(12) нс

Выходная емкость: 130(140) пФ

Сопротивление сток-исток откр. Транзистора: 0,026(0,05) Ом

Корпус: dip-8