MOSFET

Тип управляющего канала: N-Channel

Ток стока максимальный: 50 А

Максимальное напряжение сток-исток: 30 В

Максимальная рассеиваемая мощность: 100 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток: ±20 В

Пороговое напряжение включения: 2 В

Общий заряд затвора: 35 nC

Время нарастания: 180 нс

Выходная емкость: 525 пФ

Сопротивление сток-исток откр. транзистора: 0,007 Ом

Корпус: TO252