Тип: MOSFET

Тип управляющего канала: N-Channel

Ток стока максимальный: 9 А

Максимальное напряжение сток-исток: 900 В

Максимальная рассеиваемая мощность: 150 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В

Пороговое напряжение включения: 4 В

Общий заряд затвора: 60 nC

Время нарастания: 25 нс

Выходная емкость: 190 пФ

Максимальная температура канала: +150°C

Сопротивление сток-исток откр. транзистора: 1,3 Ом

Корпус: TO3P