Тип: MOSFET

Тип управляющего канала: N-Channel

Ток стока максимальный: 4,4 А

Максимальное напряжение сток-исток: 500 В

Максимальная рассеиваемая мощность: 70 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В

Пороговое напряжение включения: 4,5 В

Рабочая температура: -55 - +150°C

Общий заряд затвора: 20 nC

Время нарастания: 10 нс

Выходная емкость: 75 пФ

Сопротивление сток-исток откр. транзистора: 1,5 Ом

Корпус: TO-252