Тип: MOSFET

Тип управляющего канала: N-Channel

Ток стока максимальный: 10 А

Максимальное напряжение сток-исток: 600 В

Максимальная рассеиваемая мощность: 70 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток: 25 В

Пороговое напряжение включения: 4 В

Общий заряд затвора: 19 nC

Время нарастания: 12 нс

Выходная емкость: 44 пФ

Сопротивление сток-исток откр. транзистора: 0,55 Ом

Корпус: TO-252