Тип: MOSFET

Маркировка: A1sHB

Тип управляющего канала: P-Channel

Ток стока максимальный: 2,3 А

Максимальное напряжение сток-исток: 20 В

Максимальная рассеиваемая мощность: 1 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток: 8 В

Пороговое напряжение включения: 0,65 В

Рабочая температура: -55 - +150°C

Общий заряд затвора: 10 nC

Выходная емкость: 405 пФ

Сопротивление сток-исток откр. транзистора: 0,12 Ом

Корпус: SOT-23