MOSFET

Тип управляющего канала: N-Channel

Ток стока максимальный: 160 А

Максимальное напряжение сток-исток: 30 В

Максимальная рассеиваемая мощность: 135 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток: ±20 В

Пороговое напряжение включения: 2,35 В

Общий заряд затвора: 59 nC

Время нарастания: 35 нс

Выходная емкость: 950 пФ

Сопротивление сток-исток откр. транзистора: 0,0031 Ом

Корпус: to252