MOSFET

Тип управляющего канала: N-Channel

Ток стока максимальный: 65 А

Максимальное напряжение сток-исток: 30 В

Максимальная рассеиваемая мощность: 75 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток: ±20 В

Пороговое напряжение включения (min): 1 В

Общий заряд затвора: 10 nC

Время нарастания: 4,2 нс

Выходная емкость: 360 пФ

Сопротивление сток-исток откр. транзистора: 0,01 Ом

Корпус: to252