MOSFET

Тип управляющего канала: N-Channel

Ток стока максимальный: 17 А

Максимальное напряжение сток-исток: 100 В

Максимальная рассеиваемая мощность: 79 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток: ±16 В

Пороговое напряжение включения: 2 В

Общий заряд затвора: 34 nC

Время нарастания: 53 нс

Выходная емкость: 160 пФ

Сопротивление сток-исток откр. транзистора: 0,105 Ом

Корпус: to252