MOSFET

Тип управляющего канала: N-Channel

Ток стока максимальный: 55 А

Максимальное напряжение сток-исток: 30 В

Максимальная рассеиваемая мощность: 107 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток: ±16 В

Пороговое напряжение включения (min): 1 В

Общий заряд затвора: 50 nC

Время нарастания: 210 нс

Выходная емкость: 640 пФ

Сопротивление сток-исток откр. транзистора: 0,019 Ом

Корпус: to252