MOSFET

Тип управляющего канала: N-Channel

Ток стока максимальный: 10 А

Максимальное напряжение сток-исток: 100 В

Максимальная рассеиваемая мощность: 48 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток: ±16 В

Пороговое напряжение включения: 2 В

Общий заряд затвора: 20 nC

Время нарастания: 35 нс

Выходная емкость: 97 пФ

Сопротивление сток-исток откр. транзистора: 0,185 Ом

Корпус: to252