Тип: MOSFET

Тип управляющего канала: P-Channel

Ток стока максимальный: 11 А

Максимальное напряжение сток-исток: 55 В

Максимальная рассеиваемая мощность: 38 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток: 20 В

Пороговое напряжение включения: 4 В

Рабочая температура: -55 - +150°C

Общий заряд затвора: 19 nC

Время нарастания: 55 нс

Выходная емкость: 170 пФ

Максимальная температура канала: +150°C

Сопротивление сток-исток откр. транзистора: 0,175 Ом

Корпус: I-PAK