Тип: MOSFET

Тип управляющего канала: 2N-Channel

Ток стока максимальный: 3,6 А

Максимальное напряжение сток-исток: 2 В

Максимальная рассеиваемая мощность: 50 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток: 20 В

Пороговое напряжение включения: 4 В

Максимальная температура канала: +150°C

Сопротивление сток-исток откр. транзистора: 0,073 Ом

Корпус: SO8