Тип: MOSFET

Структура: 2 x N-Channel

Ток стока максимальный: 4,9 А

Максимальное напряжение сток-исток: 30 В

Максимальная рассеиваемая мощность: 2 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток: 20 В

Пороговое напряжение включения: 1 В

Рабочая температура: -55 - +150°C

Общий заряд затвора: 25 nC

Время нарастания: 21 нс

Выходная емкость: 180 пФ

Сопротивление сток-исток откр. транзистора: 0,05 Ом

Корпус: SO-8