MOSFET

Тип управляющего канала: N-Channel

Ток стока максимальный: 32 А

Максимальное напряжение сток-исток: 30 В

Максимальная рассеиваемая мощность: 2,8 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток: ±20 В

Пороговое напряжение включения: 2,35 В

Общий заряд затвора: 49 nC

Время нарастания: 31 нс

Выходная емкость: 1280 пФ

Сопротивление сток-исток откр. Транзистора: 0,0017 Ом

Корпус: DirectFET