г.Новосибирск
Ленина,48
  • TGAN40N120F2DW IGBT 40A 1200V с диодом TO3P

Наличие встроенного диода: да

Тип управляющего канала: N-Channel

Ток коллектора максимальный при 25°C: 80 А

Ток коллектора максимальный при 100°C: 40 А

Максимальное напряжение КЭ: 1200 В

Максимальная рассеиваемая мощность: 347 Вт

Напряжение насыщения КЭ: 2 В

Заряд затвора: 223 нКл

Время нарастания типовое: 25 нс

Рабочая температура: -55 - +150°C

Корпус: TO3PN


TGAN40N120F2DW IGBT 40A 1200V с диодом TO3P

  • Код Товара: MN018573
  • Наличие: В наличии
  • 750.00р.



Представленные на сайте характеристики и изображения товара несут информационный характер и могут не соответствовать характеристикам реального товара,