Драйвер IGBT/MOSFET одиночный

Конфигурация: Low-Side

Количество каналов: 1

Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET

Напряжение питания: 11...20 В

Логическое напряжение (VIL): 1,2 В

Логическое напряжение (VIH): 3,2 В

Пиковый выходной ток нарастания: 1 А

Пиковый выходной ток спада: 2 А

Тип входа: инвертирующий

Номинальное время нарастания: 17 нс

Номинальное время затухания: 17 нс

Рабочая температура: -40...+150°C

Корпус: soic-8