MOSFET

Тип управляющего канала: P-Channel

Ток стока максимальный: 4,9 А

Максимальное напряжение сток-исток: 30 В

Максимальная рассеиваемая мощность: 2 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток: ±25 В

Пороговое напряжение включения: 2,3 В

Общий заряд затвора: 11,6 nC

Время нарастания: 15 нс

Выходная емкость: 400 пФ

Сопротивление сток-исток откр. транзистора: 0,06 Ом

Корпус: so-8