MOSFET

Тип управляющего канала: P-Channel

Ток стока максимальный: 6,1 А

Максимальное напряжение сток-исток: 30 В

Максимальная рассеиваемая мощность: 2,5 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток: ±25 В

Пороговое напряжение включения: 2 В

Общий заряд затвора: 48 nC

Время нарастания: 18 нс

Выходная емкость: 560 пФ

Сопротивление сток-исток откр. транзистора: 0,027 Ом

Корпус: so-8