MOSFET

Тип управляющего канала: P-Channel

Ток стока максимальный: 8 А

Максимальное напряжение сток-исток: 30 В

Максимальная рассеиваемая мощность: 50 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток: ±20 В

Пороговое напряжение включения: 2 В

Общий заряд затвора: 10 nC

Время нарастания: 8 нс

Выходная емкость: 120 пФ

Сопротивление сток-исток откр. транзистора: 0,11 Ом

Корпус: TO252