MOSFET

Тип управляющего канала: P-Channel

Ток стока максимальный: 3,6 А

Максимальное напряжение сток-исток: 20 В

Максимальная рассеиваемая мощность: 50 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток: ±10 В

Пороговое напряжение включения: 1 В

Общий заряд затвора: 15 nC

Время нарастания: 36 нс

Выходная емкость: 170 пФ

Сопротивление сток-исток откр. транзистора: 0,095 Ом

Корпус: TO252